AP2003 SOT23-6L ALLPOWER
Symbol Micros:
TAP2003 AP
Gehäuse: SOT23-6L
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm/100mOhm; 3A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | SOT23-6L |
| Hersteller: | ALLPOWER |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | SOT23-6L |
| Hersteller: | ALLPOWER |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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