AP2003 SOT23-6L ALLPOWER

Symbol Micros: TAP2003 AP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6L
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm/100mOhm; 3A; 800mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: SOT23-6L
Hersteller: ALLPOWER
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: All POWER Hersteller-Teilenummer: AP2003 RoHS Gehäuse: SOT23-6L Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1609 0,0764 0,0430 0,0327 0,0293
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: SOT23-6L
Hersteller: ALLPOWER
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD