AP2303GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP2303gn-hf-3
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 460 mOhm; 1,9A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2303GN; AP2303GN-HF; AP2303GN-HF-3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 460mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 460mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole