AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2304agn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 190 mOhm; 2,5A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2304AGN-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2609 0,1662 0,1166 0,1013 0,0947
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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