AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2307gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 16V; 8V; 90mOhm; 4A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2307GN-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2220 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1998 0,1013 0,0614 0,0486 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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