AP2310GN

Symbol Micros: TAP2310GN VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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TRANSISTOR MOSFET; SOT23-3; 60V; 3,1A; N-Kanal; Entspricht: AP2310GN; VBSEMI: VB1695;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 86mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,09W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: VB1695 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3294 0,1814 0,1426 0,1320 0,1266
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 86mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,09W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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