AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 CNB
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: AP2311GN-HF-3-CN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2282 0,1143 0,0681 0,0563 0,0507
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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