AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO
 Symbol Micros:
 
 TAP2311gn-hf-3 CNB 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: SOT23
 
 
 
 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 1,8A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W | 
| Gehäuse: | SOT23 | 
| Hersteller: | CHIPNOBO | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 1,8A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W | 
| Gehäuse: | SOT23 | 
| Hersteller: | CHIPNOBO | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | P-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C | 
| Montage: | SMD | 
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