AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Max. Drainstrom: 1,8A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Max. Drainstrom: 1,8A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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