AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2313gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 300 mOhm; 2,5A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2313GN-HF-3TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2313GN-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2598 0,1376 0,1067 0,0985 0,0943
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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