AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2316gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2316GN-HF-3TR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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