AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2319gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150 mOhm; 3.1A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2319GN-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2409 0,1317 0,0863 0,0746 0,0688
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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