AP2530GY-HF ADVANCED POWER

Symbol Micros: TAP2530gy-hf

Gehäuse: SOT26

N/P-MOSFET 30V 3.3A 1.14W

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,14W
Gehäuse:	SOT26
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,14W
Gehäuse:	SOT26
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD