AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2603gy-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT26
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT26
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2603GY RoHS Gehäuse: SOT26 Datenblatt
Auf Lager:
124 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2418 0,1329 0,0878 0,0732 0,0688
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT26
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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