AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4435gm-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO 8
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SO 8
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP4435GM RoHS Gehäuse: SO 8 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3744 0,2059 0,1620 0,1500 0,1438
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP4435GM RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3675 0,2404 0,1720 0,1505 0,1410
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SO 8
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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