AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9435gj
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 12,5W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9435GJ ROHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4439 0,2687 0,2065 0,1864 0,1773
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 12,5W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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