AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9474gm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SO-8
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 12,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SO-8
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9474GM-HF RoHS Gehäuse: SO-8 Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5144 0,3124 0,2396 0,2166 0,2060
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 12,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SO-8
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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