AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9477gk-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 4.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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