AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9563gk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9563GK RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4576 0,2535 0,2002 0,1889 0,1828
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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