AUIRF1010EZS International Rectifier

Symbol Micros: TAUIRF1010ezs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 84A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF1010EZSTRL;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRF1010EZS RoHS Gehäuse: D2PAK  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,9871 1,6183 1,4046 1,3012 1,2425
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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