AUIRF7103Q

Symbol Micros: TAUIRF7103q
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Trans N-MOSFET Si 50V 3A Automotive AUIRF7103QTR
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD