AUIRFR9024NTRPBF-VB TO252 VBsemi Elec

Symbol Micros: TAUIRFR9024n VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 30A; 34W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO252
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO252
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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