BC109B
Symbol Micros:
TBC109b
Gehäuse: TO 18
Transistor NPN; 450; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Ersatz: BC109B-CDI;
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Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | CDIL |
Gehäuse: | TO 18 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | CDIL |
Gehäuse: | TO 18 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 200°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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