BC109C

Symbol Micros: TBC109c

Gehäuse: TO 18

NPN 100mA 30V 300mW 150MHz NPN 100mA 30V 300mW 150MHz

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Parameter

Verlustleistung:	300mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V

Verlustleistung:	300mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	NPN