BC212B

Symbol Micros: TBC212b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 120
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 280MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1073 0,0408 0,0242 0,0193 0,0179
Standard-Verpackung:
6
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 48+ 288+ 1680+
Nettopreis (EUR) 0,1073 0,0707 0,0335 0,0211 0,0179
Standard-Verpackung:
48
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1073 0,0491 0,0266 0,0197 0,0179
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 120
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 280MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP