BC212B
Symbol Micros:
TBC212b
Gehäuse: TO92
Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO92 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 120 |
| Grenzfrequenz: | 280MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: CDIL
Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
6 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 150+ | 750+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1034 | 0,0393 | 0,0233 | 0,0186 | 0,0172 |
Hersteller: CDIL
Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
48 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 10+ | 48+ | 288+ | 1680+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1034 | 0,0681 | 0,0322 | 0,0203 | 0,0172 |
Hersteller: CDIL
Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1034 | 0,0473 | 0,0256 | 0,0190 | 0,0172 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO92 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 120 |
| Grenzfrequenz: | 280MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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