BC337-40 TO92ammoformed LGE

Symbol Micros: TBC33740TA LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92ammoformed
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Transistor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; Entspricht: BC337.40; BC337-40-GURT;
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92ammoformed
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 210MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC337-40 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0812 0,0323 0,0173 0,0134 0,0125
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC337-40 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
605 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0812 0,0323 0,0173 0,0134 0,0125
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Standard-Verpackung:
755
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC337.40 Gehäuse: TO92ammoformed  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0247
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92ammoformed
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 210MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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