BC517 LGE

Symbol Micros: TBC517 c

Gehäuse: TO92bul

darl.NPN 30V 1.2A 625mW darl.NPN 30V 1.2A 625mW

Parameter

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	30000
Gehäuse:	TO92bul
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC517 RoHS Gehäuse: TO92bul

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3800 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1644	0,0654	0,0378	0,0315	0,0299

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Geplantes Datum:
2025-08-20

Anzahl Stück: 2000

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	30000
Gehäuse:	TO92bul
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN