BC517 LGE
Symbol Micros:
TBC517 c
Gehäuse: TO92bul
darl.NPN 30V 1.2A 625mW darl.NPN 30V 1.2A 625mW
Parameter
| Verlustleistung: | 625mW |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30000 |
| Gehäuse: | TO92bul |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: BC517 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
4800 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1654 | 0,0655 | 0,0376 | 0,0312 | 0,0301 |
| Verlustleistung: | 625mW |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30000 |
| Gehäuse: | TO92bul |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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