BC517 LGE

Symbol Micros: TBC517 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92bul
darl.NPN 30V 1.2A 625mW darl.NPN 30V 1.2A 625mW
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 30000
Gehäuse: TO92bul
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC517 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1654 0,0655 0,0376 0,0312 0,0301
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 30000
Gehäuse: TO92bul
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN