BC517 LGE

Symbol Micros: TBC517 c

Gehäuse: TO92bul

darl.NPN 30V 1.2A 625mW darl.NPN 30V 1.2A 625mW

Parameter

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO92bul
Stromverstärkungsfaktor:	30000
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC517 RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

4620 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,1662	0,0659	0,0378	0,0314	0,0302

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO92bul
Stromverstärkungsfaktor:	30000
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN