BC547BTA TO92-3(ammo,formed) ONSEMI

Symbol Micros: TBC547bta ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92ammoformed
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Bipolartransistor (BJT) NPN 50V 100mA 300MHz 500mW Durchkontaktierung TO-92-3
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: TO92ammoformed
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC547BTA Gehäuse: TO92ammoformed  
Externes Lager:
78000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0306
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC547BTA Gehäuse: TO92ammoformed  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0334
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: TO92ammoformed
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole