BC547BTA TO92-3(ammo,formed) ONSEMI

Symbol Micros: TBC547bta ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92ammoformed
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Bipolartransistor (BJT) NPN 50V 100mA 300MHz 500mW Durchkontaktierung TO-92-3
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: TO92ammoformed
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC547BTA RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2228 0,1054 0,0590 0,0445 0,0405
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Standard-Verpackung:
2000
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: TO92ammoformed
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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