BC548B TO-92(AMMO,FORMED) LGE

Symbol Micros: TBC548b LGE

Gehäuse: TO92ammoformed

Transistor NPN; 800; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; BC548BBU; BC548B-DIO; BC548BBK; BC548B B1G;

Parameter

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	800
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Verlustleistung:	625mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	800
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN