BC558B

Symbol Micros: TBC558b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 200 < beta < 450 PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 200 < beta < 450
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 460
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC558B RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0865 0,0346 0,0184 0,0142 0,0133
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC558B RoHS Gehäuse: TO92 Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0865 0,0346 0,0184 0,0142 0,0133
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Standard-Verpackung:
1000/4000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC558B RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
1031 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0865 0,0346 0,0184 0,0142 0,0133
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: BC558B Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0133
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 625mW
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Stromverstärkungsfaktor: 460
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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