BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI

Name: TBC63916-D27Z TBC63916-D27Z
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TBC63916-D27Z
Price: 0.1005 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBC63916-D27Z

Gehäuse: TO92t/r

Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R BC63916-D27Z; BC63916D27Z

Parameter

Verlustleistung:	830mW
Hersteller:	ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC63916-D27Z RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3244	0,1802	0,1423	0,1293	0,1250

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC63916_D27Z Gehäuse: TO92t/r

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1250

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC63916-D27Z Gehäuse: TO92t/r

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1007

Verlustleistung:	830mW
Hersteller:	ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN