BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI
Symbol Micros:
TBC63916-D27Z
Gehäuse: TO92t/r
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R BC63916-D27Z; BC63916D27Z
Parameter
Verlustleistung: | 830mW |
Hersteller: | ONSEMI |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC63916_D27Z
Gehäuse: TO92t/r
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0979 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC63916-D27Z
Gehäuse: TO92t/r
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1001 |
Verlustleistung: | 830mW |
Hersteller: | ONSEMI |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole