BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI

Symbol Micros: TBC63916-D27Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92t/r
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R BC63916-D27Z; BC63916D27Z
Parameter
Verlustleistung: 830mW
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC63916_D27Z Gehäuse: TO92t/r  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0979
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC63916-D27Z Gehäuse: TO92t/r  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1001
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 830mW
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN