BC640

Symbol Micros: TBC640

Gehäuse: TO92

Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	830mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO92
Stromverstärkungsfaktor:	250
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2147	0,0850	0,0488	0,0404	0,0390

Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS Gehäuse: TO92amm

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2147	0,0850	0,0488	0,0404	0,0390

Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC640 Gehäuse: TO92

Externes Lager:

3900 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0647

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC640TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0851

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC640TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1528

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-09-30

Anzahl Stück: 6000

Verlustleistung:	830mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO92
Stromverstärkungsfaktor:	250
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP