BC640

Symbol Micros: TBC640

Gehäuse: TO92

Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	830mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS Gehäuse: TO92

Auf Lager:

2182 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2110	0,0912	0,0566	0,0483	0,0469

Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS Gehäuse: TO92

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2110	0,0912	0,0566	0,0483	0,0469

Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC640 Gehäuse: TO92

Externes Lager:

1700 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0645

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC640TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1218

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC640TA Gehäuse: TO92

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0850

Verlustleistung:	830mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP