BC807,215

Symbol Micros: TBC807
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC807,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2233 0,1236 0,0820 0,0685 0,0638
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP