BC807W,115

Symbol Micros: TBC807 w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP