BC807-16LT1G

Symbol Micros: TBC80716 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2860 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1096 0,0433 0,0253 0,0185 0,0169
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT3G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
180000 stk.
Anzahl Stück 40000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0169
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP