BC807-16LT1G

Symbol Micros: TBC80716 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1092 0,0432 0,0252 0,0184 0,0168
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP