BC807-25WT1G

Symbol Micros: TBC80725wt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
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Transistor PNP; 400; 460mW, 45V; 500mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 460mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC807-25WT1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1282 0,0587 0,0319 0,0240 0,0214
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 460mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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