BC807-40,215

Symbol Micros: TBC80740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Ersatz: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40.215;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC807-40,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
114679 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2612 0,1389 0,1078 0,0995 0,0952
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC807-40LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0952
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC807-40LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück 36000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0952
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP
Ausführliche Beschreibung

Transistor Typ: PNP
Polarisation: bipolar
Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Kollektorstrom: 500mA
Leistung: 250mW
Gehäuse: SOT23
Montage: SMD