BC817-25-TP

Symbol Micros: TBC817-25-TP

Gehäuse: SOT23-3

Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 310mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 310mW 3-Pin SOT-23

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	Micro Comercial Components Corp.
Stromverstärkungsfaktor:	600
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-04-30

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	Micro Comercial Components Corp.
Stromverstärkungsfaktor:	600
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN