BC817-16LT1G ON

Symbol Micros: TBC81716 ON
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
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Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0999 0,0394 0,0230 0,0168 0,0154
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3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN