BC817-16LT1G ON

Symbol Micros: TBC81716 ON
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 180
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
1424 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,1137 0,0452 0,0226 0,0180 0,0175
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
498000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0175
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0175
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 180
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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