BC817-16LT1G ON
Symbol Micros:
TBC81716 ON
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 180 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Auf Lager:
3224 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1130 | 0,0445 | 0,0259 | 0,0190 | 0,0174 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT3G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
360000 stk.
| Anzahl Stück | 40000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0174 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
765000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0174 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 180 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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