BC817-16 SOT23 RealChip
Symbol Micros:
TBC81716 REA
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI);
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | RealChip |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | RealChip |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole