BC817-25 (printed BC817-40 on Units)

Symbol Micros: TBC81725 re-ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1860 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 2980+ 14900+
Nettopreis (EUR) 0,0343 0,0125 0,0066 0,0050 0,0046
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2980
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 2990+ 14950+
Nettopreis (EUR) 0,0387 0,0141 0,0075 0,0056 0,0052
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2990
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1257000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 2650+ 13250+
Nettopreis (EUR) 0,0380 0,0139 0,0073 0,0055 0,0051
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN