BC817-25 (printed BC817-40 on Units)

Symbol Micros: TBC81725 re-ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1860 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0457 0,0171 0,0092 0,0069 0,0063
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2980
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0457 0,0171 0,0092 0,0069 0,0063
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2990
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1245000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0457 0,0171 0,0092 0,0069 0,0063
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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