BC817-25 REALCHIP

Symbol Micros: TBC81725 REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-25,215; BC817-25,235;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Transistor-Typ: NPN
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Transistor-Typ: NPN

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