BC817-25W,115
Symbol Micros:
TBC81725 w
Gehäuse: SOT323
Transistor NPN; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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