BC817-25W,115

Symbol Micros: TBC81725 w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor NPN; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-03-31
Anzahl Stück: 3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN