BC817-40LT1G

Symbol Micros: TBC81740 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-30
Anzahl Stück: 42000
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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