BC817-40LT1G

Symbol Micros: TBC81740 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G-01 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1099 0,0434 0,0252 0,0185 0,0169
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0169
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
7638000 stk.
Anzahl Stück 36000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0169
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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