BC817-40LT1G

Symbol Micros: TBC81740 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1126 0,0516 0,0281 0,0210 0,0188
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Standard-Verpackung:
3000/18000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
29500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0519
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0191
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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