BC817-40LT1G

Symbol Micros: TBC81740 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G-01 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0886 0,0348 0,0204 0,0149 0,0136
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
123000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0413
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC817-40LT3G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
100000 stk.
Anzahl Stück 20000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0136
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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