BC817W

Symbol Micros: TBC817w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 500mA 45V 200mW 100MHz 100 < beta < 600 NPN 500mA 45V 200mW 100MHz 100 < beta < 600
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817W,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0959 0,0379 0,0221 0,0161 0,0148
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC817W,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
204000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0148
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC817W,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 27000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0148
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: NXP Semiconductors
Transistortyp: NPN
Polarität: bipolar
Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Kollektorstrom: 500mA
Gehäuse: SOT323

Symbol Micros

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