BC817W
Symbol Micros:
TBC817w
Gehäuse: SOT323
NPN 500mA 45V 200mW 100MHz 100 < beta < 600 NPN 500mA 45V 200mW 100MHz 100 < beta < 600
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: NXP Semiconductors
Transistortyp: NPN
Polarität: bipolar
Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Kollektorstrom: 500mA
Gehäuse: SOT323
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