BC846ASQ-7-F

Symbol Micros: TBC846ASQ-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 220
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 220
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN