BC846BPDW1T1G

Symbol Micros: TBC846bpdw1t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88
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Transistor GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Transistor GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC846BPDW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1302 0,0596 0,0325 0,0242 0,0217
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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