BC846CLT1G

Symbol Micros: TBC846CL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
TRANS NPN 65V GP SOT23-3 Transistor NPN 65V GP SOT23-3
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN