BC846S

Symbol Micros: TBC846s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Tranzistor 2xNPN Bipolar 65V 100mA 300mW Tranzistor 2xNPN Bipolar 65V 100mA 300mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC846SH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2327 0,1180 0,0715 0,0566 0,0517
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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