BC847A HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC847a HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN-Transistor; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847A,215; BC847A,235; BC847ALT1G; BC847AE6327HTSA1; BC847A RFG; BC847A-7-F; BC847A-TP;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 220
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC847A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,0510 0,0189 0,0100 0,0074 0,0070
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 220
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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