BC847B-13-F

Symbol Micros: TBC847B-13-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC847B-7-F
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN