BC847B-7-F DIOTEC

Symbol Micros: TBC847b dio
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 600mV; 250mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: DIOTEC
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: BC847B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6350 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0808 0,0319 0,0186 0,0136 0,0124
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: DIOTEC
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN