BC847B JGSEMI
Symbol Micros:
TBC847b JGS
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 450; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847B,215; BC847B,235; BC847BLT1G; BC847BLT3G; BC847BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC847B RFG; BC847B-7-F; BC847B-13-F; BC847B-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: JG Technology
Hersteller-Teilenummer: BC847B RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
24000 stk.
| Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0349 | 0,0127 | 0,0067 | 0,0050 | 0,0047 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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